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    • 中芯國際火速回A,最快8月報會注冊!直追國際先進工藝,產業鏈國產替代化加速
    • 2020年06月02日來源:證券時報

    提要:中芯國際本次擬發行不超過16.86億股新股,預計募資200億元,計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目(80億元),先進及成熟工藝研發項目儲備資金(40億元),補充流動資金(80億元)。

    內地芯片制造龍頭中芯國際的科創板IPO正火速推進。

    在宣布回歸A股不到一個月,6月1日晚間,中芯國際便出現在了上交所科創板的受理企業名單之列。
    當晚招股書披露,中芯國際本次擬發行不超過16.86億股新股,預計募資200億元,計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目(80億元),先進及成熟工藝研發項目儲備資金(40億元),補充流動資金(80億元)。
    就在5月15日,國家大基金二期與上海集成電路基金二期同意分別向中芯南方注資15億美元、7.5億美元,后者注冊資本將增至65億美元。中芯南方的“12英寸芯片SN1項目”規劃月產能為3.5萬片晶圓(工藝技術:14納米及以下),目前已建成月產能6000片。該項目是中國大陸第一條FinFET工藝生產線,也是中芯國際14納米及以下先進工藝研發和量產的主要承載平臺。
    據記者觀察,目前已上市的105家科創板企業,從受理到報會注冊平均用時121天,其中速度最快的是中國通號,僅歷時約72天。若以該效率計算,中芯國際最快或將于8月12日前后進入報會注冊環節。而本次公司能否借科創板上市的“東風”加快先進制程上的追趕計劃,受到各界關注。
    占有率位居全球第四
    中芯國際是全球領先的集成電路晶圓代工企業之一,也是中國大陸技術最先進、規模最大、配套服務最完善、跨國經營的專業晶圓代工企業,主要為客戶提供0.35微米至14納米多種技術節點、不同工藝平臺的集成電路晶圓代工及配套服務。
    在邏輯工藝領域,中芯國際是中國大陸第一家實現14納米FinFET量產的集成電路晶圓代工企業,代表中國大陸自主研發集成電路制造技術的最先進水平;在特色工藝領域,中芯國際陸續推出中國大陸最先進的24納米 NAND、40納米高性能圖像傳感器等特色工藝,與各領域的龍頭公司合作,實現在特殊存儲器、高性能圖像傳感器等細分市場的持續增長。

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    中芯國際港股走勢圖

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    財務數據顯示,2017-2019年公司實現營業收入分別約為213.9億元、230.17億元、220.18億元;同期對應實現歸母凈利潤分別約為12.45億元、7.47億元、17.94億元。2017-2019年中芯國際研發投入占營業收入的比例分別為16.72%、19.42%及21.55%。
    股東方面,截至2019年12月31日,中芯國際第一大股東大唐香港持股比例為17.00%,第二大股東鑫芯香港持股比例為15.76%,董事會現有14位董事,各股東提名的董事人數均低于董事總人數的二分之一,公司無控股股東和實際控制人。
    根據IC Insights公布的2018年純晶圓代工行業全球市場銷售額排名,全球排名前三的企業分別為臺積電、格羅方德和聯華電子,占有率分別為59%、11%和9%;中芯國際位居全球第四位,占有率為6%,在中國大陸企業中排名第一。

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    回看本次募集資金項目,其中80億元將用于“12 英寸芯片 SN1 項目”,該項目的實施主體為中芯南方。據悉,“12 英寸芯片 SN1 項目”預計總投資90.59億美元,規劃月產能3.5萬片,工藝技術水平為14納米及以下,目前已建成月產能6000片,募集資金主要用于滿足將該生產線的月產能擴充到3.5萬片的部分資金需求。中芯國際認為,14納米及以下先進工藝主要應用于5G、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域,未來發展前景廣闊。
    本次募資中的40億元則將用于公司先進及成熟工藝研發項目儲備資金,其計劃用于14納米及以下的先進工藝與28納米及以上的成熟工藝技術研發。
    與最先進工藝差距幾何?
    據記者了解,當前,全球最先進的量產集成電路制造工藝已經達到7納米至5納米,3納米技術則有望在2022年前后進入市場。在中美貿易摩擦背景下,業內最為關心的問題或許莫過于,被稱為華為最強代工“備胎”的中芯國際,其技術水平與最先進的晶圓代工廠相比,還存在多少差距?如何助借科創板上市的“東風”加快追趕步伐?
    半導體業內人士認為,在集成電路晶圓代工領域,關鍵技術節點的量產能力是衡量企業技術實力的重要標準之一。例如,臺積電的10nm(納米)工藝于2016年量產,7nm量產時間是在2018年;格羅方德的12nm工藝同樣于2018年實現量產;聯華電子的14nm工藝量產時間為2017年;中芯國際的14nm技術則于2019年進入量產,與最先進晶圓廠仍存在著不小差距。

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    從最新技術進展看,招股書披露,在先進制程領域,中芯國際已連續多年投入FinFET工藝技術研發,目前公司第一代14納米FinFET技術已進入量產階段,第二代FinFET技術(又稱N+1工藝技術)平臺已進入客戶導入階段,并同步研發下一代先進工藝技術。
    業內對中芯國際上述新一代FinFET技術頗有期待。據長期關注中芯國際的投資者向記者介紹,中芯國際的N+1工藝技術,在功率和穩定性方面,N+1和7nm工藝較為相似,但區別在于性能方面,和14nm相比,N+1工藝性能提約20%,市場基準的(7nm工藝)性能提升應該是35%。按其理解,中芯國際對N+1的目標是低成本應用,可以將成本相對市場上的7nm減少大約10%,因此是一個非常特殊的工藝節點,但因為性能上的差距,尚不能等同于7nm工藝。
    對于上述性能比較,中芯國際相關人士回應記者時稱:相關工藝性能數據要在量產時才會宣布,建議以最后官方內容為準。
    盡管要迎頭趕上世界最先進工藝仍有待時日,但機構仍表達看好之情。中信建投在近日研報中指出,中芯國際14nm市場需求景氣向上,帶來更廣闊市場空間。同時,由于突破FinFET工藝,“N+1”“N+2”代先進工藝推進有望超出預期,中芯國際在先進制程節點不斷突破,縮小與國際先進大廠的差距;看好大陸半導體產業鏈轉移給公司帶來的機會。

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    責任編輯:齊蒙
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